Mention / Parcours / Parcours type | ECTS | Points |
---|---|---|
Physique Appliquée et Ingénierie Physique / Physique, Spectrométrie, Instrumentation et Ingénierie / PSI2 | 3 | 30 |
Physique Appliquée et Ingénierie Physique / Optique et NanoTechnologies / ONT | 3 | 30 |
Physique Appliquée et Ingénierie Physique / Mécanique, Matériaux et Procédés Avancés / MMPA | 3 | 30 |
Nature | CM | TD | TP | Total |
---|---|---|---|---|
Durée | 14h | 13h | 3h | 30h |
Epreuves | Nature | DS | CRTP | EET | EET | Total |
---|---|---|---|---|---|---|
Durée | 2h | 2h | 2h | |||
Cas général | 1ère session | 30 | 10 | 60 | 100% | |
2nd session | 100 | 100% | ||||
Dispense contrôle continu | 1ère session | 100 | 100% | |||
2nd session | 100 | 100% |
Nature | Durée | 1ère session | 2ème session |
---|---|---|---|
DS | 2h | 30% | 0% |
CRTP | 10% | 0% | |
EET | 2h | 60% | 0% |
EET | 2h | 0% | 100% |
Nature | Durée | 1ère session | 2ème session |
---|---|---|---|
EET | 2h | 100% | 0% |
EET | 2h | 0% | 100% |
Acquérir les bases de la physique des semi-conducteurs, appliquée aux composants électroniques (transistors) et optoélectroniques (photodiodes, diodes lasers, etc).
Comprendre les principes de fonctionnement des composants à semiconducteurs, transistors et composants optoélectroniques en particulier.
Savoir calculer les caractéristiques électriques de composants simples.
- Compétences dans les propriétés physiques et électroniques des semi-conducteurs,
- Comprendre et analyser le fonctionnement de quelques dispositifs électroniques: jonctions et transistor à effet de champ.
Physique des semi-conducteurs : rappels de physique du solide, diagrammes de bande, densités d'états, concentrations de porteurs, masse effective, loi d'action de masse, semi-conducteur intrinsèque ou dopé, mobilité, vitesse de dérive, courants de dérive et de diffusion, équations de continuité.
Applications aux composants : contact métal - semi-conducteur (Schottky), transistor à effet de champ, jonction PN, introduction aux composant opto-électroniques
1 TP : Simulation numérique de de diagrammes de bande et de transistor à effet de champ