PH0801 - Semi-conducteurs, composants et applications

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  • Équipe pédagogique

    • Responsables

    • GIRAUDET Louis (Responsable)
      Département : Electronique, Electrotechnique, Automatique (EiSINe - Reims)
  • Volume horaire

  • Nature CMTDTP Total
    Durée 14h13h3h30h
  • Modalités de contrôle des connaissances (MCC)

  • Epreuves Nature DSCRTPEETEET Total
    Durée 2h2h2h
    Cas général 1ère session 301060 100%
    2nd session 100 100%
    Dispense contrôle continu 1ère session 100 100%
    2nd session 100 100%
  • Modalités de contrôle des connaissances (MCC)

  • Cas général

  • Nature Durée 1ère session 2ème session
    DS 2h 30% 0%
    CRTP 10% 0%
    EET 2h 60% 0%
    EET 2h 0% 100%
  • Dispense contrôle continu

  • Nature Durée 1ère session 2ème session
    EET 2h 100% 0%
    EET 2h 0% 100%
  • Objectifs

  • Acquérir les bases de la physique des semi-conducteurs, appliquée aux composants électroniques (transistors) et optoélectroniques (photodiodes, diodes lasers, etc).

  • Compétences spécifiques visées

  • Comprendre les principes de fonctionnement des composants à semiconducteurs, transistors et composants optoélectroniques en particulier.
    Savoir calculer les caractéristiques électriques de composants simples.

  • Compétences générales visées

  • - Compétences dans les propriétés physiques et électroniques des semi-conducteurs,
    - Comprendre et analyser le fonctionnement de quelques dispositifs électroniques: jonctions et transistor à effet de champ.

  • Programme

  • Physique des semi-conducteurs : rappels de physique du solide, diagrammes de bande, densités d'états, concentrations de porteurs, masse effective, loi d'action de masse, semi-conducteur intrinsèque ou dopé, mobilité, vitesse de dérive, courants de dérive et de diffusion, équations de continuité.
    Applications aux composants : contact métal - semi-conducteur (Schottky), transistor à effet de champ, jonction PN, introduction aux composant opto-électroniques

    1 TP : Simulation numérique de de diagrammes de bande et de transistor à effet de champ